23 de marzo de 2010 / 11:04 / hace 8 años

Toshiba negocia una alianza nuclear con Bill Gates

TOKIO (Reuters) - La corporación japonesa Toshiba está negociando con una empresa respaldada por el presidente de Microsoft, Bill Gates, para desarrollar conjuntamente reactores nucleares avanzados.

Por otro lado, Toshiba anunció que podría reanudar sus planes de construir una fábrica de memoria flash NAND con motivo de una reactivación de la demanda. La construcción de la planta comenzará en julio y su producción se iniciará a principios de 2011.

Toshiba dijo que está negociando con la firma apoyada por Gates, TerraPower, para desarrollar los reactores de onda en movimiento (TWRs, por sus siglas en inglés), que están diseñados para usar uranio empobrecido como carburante y pensados para alcanzar los 100 años de funcionamiento sin necesidad de reponer combustible.

Esto contrasta con los reactores de agua ligera, que han de repostar cada varios años. El periódico Nikkei, que informó el martes, dijo que Gates podría invertir varios cientos de miles de millones de yenes (lo que supone varios miles de millones de dólares) de su propio dinero en este proyecto, cuya comercialización podría llevar más de diez años.

El portavoz de Toshiba Keisuke Ohmori dijo que las negociaciones con TerraPower están en fase inicial y que aún no hay nada decidido. Los reactores de pequeño tamaño como los TWR podrían ser idóneas para los mercados emergentes, según dijo el analista de Deutsche Securities Takeo Miyamoto.

“Podría haber demanda para este tipo de reactor en los países en desarrollo”, añadió. Las acciones de Toshiba subieron un 4,7 por ciento a 471 yenes. El índice de Nikkei cayó un 0,4 por ciento.

Toshiba ha desarrollado ya un diseño para un reactor ultracompacto, conocido como 4S (por las cuatro S de Super-Safe, Small and Simple) y diseñado para operar de forma continua durante 30 años.

Toshiba tiene previsto comenzar la construcción en Estados Unidos de su primer reactor 4S para 2014 tras recibir los permisos necesarios. El reactor podría tener una capacidad de rendimiento de 10.000 kilowatios.

Por otro lado, Toshiba ha decidido comenzar la construcción de su quinta planta de memoria flash NAND en Mie, Japón, debido a una reactivación de su demanda debido en parte a la creciente popularidad de los teléfonos inteligentes.

Toshiba dijo que no ha decidido todavía ni el nivel de inversión ni la capacidad de rendimiento de la futura fábrica. El Nikkei ha informado este mes de que la corporación podría gastar unos 800.000 millones de yenes (545.460 millones de euros) en la planta.

Rivales como Samsung Electronics Co y SanDisk Corp ven con optimismo el mercado de microchips.

“La industria de la memoria flash está en apuros ahora mismo, y los fabricantes simplemente no pueden responder a la demanda”, dijo Kazutaka Oshima, presidente de Rakuten Investment Management.

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